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H3V3N10B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

H3V3N10B product

H3V3N10B

TVS - Diodes

ESD-SchutzBidirektional3,3V

Die H3V3N10B ist eine bidirektionale 3,3V-ESD-Schutzdiode im DFN1006-2L-Gehäuse, die sich ideal für den Schutz empfindlicher Datenleitungen in tragbaren Geräten eignet.

Ideal für

  • Mobiltelefone
  • Tragbare Elektronik
  • LCD-Display-Schnittstellen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine höhere Arbeitsspannung als 3,3V oder extrem niedrige Kapazitäten für Hochgeschwindigkeitssignale erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Überprüfen Sie die Klemmspannung bei Ihrem erwarteten Spitzenstrom.

Wichtige Specs

Sperrspannung
3,3 V
Spitzenimpulsleistung
80 W
Gehäuse
DFN1006-2L

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikTragbare Geräte

Datenblatt

2231389fe89dcc1fb07d1372982ec63e_2402021507_hongjiacheng-H3V3N10B_C20617909.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für H3V3N10B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine bidirektionale ESD-Schutzdiode für 3,3V-Schaltungen, die in einem kompakten DFN1006-2L-Gehäuse untergebracht ist.