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H3V3U10B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

H3V3U10B product

H3V3U10B

TVS - Diodes

ESD-SchutzBidirektionalNiedrige Kapazität

Die H3V3U10B ist eine bidirektionale 3,3V-ESD-Schutzdiode im DFN1006-2L-Gehäuse, die für Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen mit extrem niedriger Kapazität optimiert ist.

Ideal für

  • Schutz von Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen
  • Tragbare Elektronik
  • Mobiltelefone

Vermeiden, wenn

  • Signalleitungen über 3,3 V

Vor der Verwendung prüfen

  • Klemmspannung bei erwartetem Spitzenstrom

Wichtige Specs

Sperrspannung
3,3 V
Sperrschichtkapazität
0,3 pF
ESD-Schutz (Luft)
±25 kV

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikKonnektivität

Datenblatt

cd34dfc4fbbc5004489cbc0566d19db6_2401261524_hongjiacheng-H3V3U10B_C20615782.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für H3V3U10B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Die H3V3U10B ist eine bidirektionale ESD-Schutzdiode, die zum Schutz empfindlicher elektronischer Komponenten vor elektrostatischer Entladung und Blitzüberspannungen entwickelt wurde.