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H4S5N10B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

H4S5N10B product

H4S5N10B

TVS - Diodes

ESD-SchutzBidirektionalDFN1006-2L

Die H4S5N10B ist eine bidirektionale ESD-Schutzdiode, die für Anwendungen mit hoher Kapazität in tragbaren Geräten optimiert ist.

Ideal für

  • ESD-Schutz in tragbaren Geräten
  • Allgemeiner Signalleitungsschutz

Vermeiden, wenn

  • Hochgeschwindigkeits-Datenleitungen mit geringem Kapazitätsbedarf

Vor der Verwendung prüfen

  • Einfluss der Kapazität auf die Signalintegrität

Wichtige Specs

Sperrspannung
4,5 V
Sperrschichtkapazität
150 pF
Spitzenimpulsstrom
55 A

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikTragbare Messgeräte

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für H4S5N10B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine bidirektionale ESD-Schutzdiode im DFN1006-2L-Gehäuse mit einer Sperrspannung von 4,5V.