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H5TQ4G83EFR-RDC KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

H5TQ4G83EFR-RDC product

H5TQ4G83EFR-RDC

DRAM

DDR3SDRAMSpeicherSK hynix

Der H5TQ4G83EFR-RDC ist ein 4Gb DDR3-SDRAM von SK hynix, organisiert als 512M x 8 in einem 78-Ball-FBGA-Gehäuse.

Ideal für

  • Hauptspeichererweiterung
  • Eingebettete Systeme

Vermeiden, wenn

  • Stromsparende Anwendungen, die 1,35V DDR3L erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Timing-Parameter (CL-tRCD-tRP)

Wichtige Specs

Dichte
4Gb
Organisation
512M x 8
Spannung
1,5V
Gehäuse
78-Ball FBGA

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

ComputingIndustrie

Datenblatt

aa828d264f3a3f15ef70631ff84f6634_2202132000_SK-HYNIX-H5TQ4G83EFR-RDC_C2841156.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für H5TQ4G83EFR-RDC laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 4Gb DDR3-Synchron-DRAM-Baustein, organisiert als 512M x 8, der mit 1,5V betrieben wird.