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HC2M0080120K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC2M0080120K product

HC2M0080120K

MOSFETs - Single

SiCMOSFET1200VLeistung

Der HC2M0080120K ist ein 1200V, 36A SiC-N-Kanal-MOSFET im TO-247-4L-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlung.

Ideal für

  • EV-Ladegeräte
  • Wechselrichter für erneuerbare Energien
  • Hochspannungs-DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel und thermisches Design.

Wichtige Specs

VDS
1200 V
ID
36 A
RDS(on)
80 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

f2bb1f5f8aa75ff0c8ebd381c8166fb5_2401051806_HXY-MOSFET-HC2M0080120K_C19723862.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC2M0080120K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET mit hoher Sperrspannung und niedrigem Einschaltwiderstand für schnelles Schalten.