HC2M0160120K Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HXY MOSFET | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HC2M0160120K product

Der HC2M0160120K ist ein 1200V SiC-MOSFET im TO-247-4L-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlung.

Ideal für

EV-Ladegeräte
Hochspannungs-DC/DC-Wandler
Industrielle Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Si-MOSFETs kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

Gate-Ansteuerspannungspegel
Thermische Derating-Kurven bei hohen Temperaturen

Wichtige Specs

VDS: 1200 V
ID (25°C): 17.9 A
RDS(on): 159 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC2M0160120K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Siliziumkarbid (SiC) N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET der 3. Generation, ausgelegt für 1200V und 17.9A.