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HC2M1000170D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC2M1000170D product

HC2M1000170D

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1700VTO-247

Der HC2M1000170D ist ein 1700V SiC-MOSFET für hocheffiziente Leistungswandlungsanwendungen.

Ideal für

  • Hochspannungs-Leistungswandlung
  • Hocheffiziente Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

Vdss
1700 V
Id
5 A
Rds(on)
1.0 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungselektronik

Datenblatt

75c7a57acb4c3d73f8b143114a347ad0_2312221750_HXY-MOSFET-HC2M1000170D_C19723852.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC2M1000170D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-SiC-Leistungs-MOSFET mit 1700V und 5A im TO-247-3L-Gehäuse.