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HC3D02120E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC3D02120E product

HC3D02120E

Silicon Carbide Schottky Diodes

SiC-Diode1200VTO-252-2L

Die HC3D02120E ist eine 1200V, 2A Siliziumkarbid-Schottky-Diode im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Hochfrequenz-Leistungswandler.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Leistungswandlung
  • Kompakte Netzteil-Designs

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Ströme deutlich über 2A erfordern
  • Designs, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen und die Kosten im Vordergrund stehen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität des PCB-Footprints

Wichtige Specs

Sperrspannung
1200 V
Durchlassstrom
2 A
Durchlassspannung
1.35 V

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteilIndustrie

Datenblatt

b57690524be0e4b7bdb86be910329036_2405311648_HXY-MOSFET-HC3D02120E_C22449566.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC3D02120E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Diode von HXY MOSFET mit einer Sperrspannung von 1200V und einem Durchlassstrom von 2A.