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HC3D05120E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC3D05120E product

HC3D05120E

Diodes - Rectifiers - Single

SiC-DiodeSchottky1200V

Die HC3D05120E ist eine 1200V SiC-Schottky-Diode im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Hochfrequenz-Leistungswandler.

Ideal für

  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Hochleistungs-Schaltnetzteile
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Stoßstromgrenzwerte

Wichtige Specs

Sperrspannung
1200 V
Durchlassstrom
5 A
Kapazitive Ladung
24 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC3D05120E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 1200V Siliziumkarbid-Schottky-Diode für hocheffiziente Leistungsanwendungen wie USV und Schaltnetzteile.