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HC3D06065E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC3D06065E product

HC3D06065E

Diodes - Schottky

SiC-DiodeSchottky650V

Die P1D06065E ist eine 650V Siliziumkarbid-Schottky-Diode im TO-252-2L-Gehäuse, die für hocheffiziente Hochfrequenz-Leistungswandlungen optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Hochleistungs-Schaltnetzteile
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, bei denen kostengünstige Siliziumdioden ausreichen und die Vorteile von SiC nicht benötigt werden.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand und Anforderungen an die Kühlung.

Wichtige Specs

VRRM
650 V
IF
6 A
VF
1,3 V
Qc
18 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC3D06065E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Die P1D06065E ist eine Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Diode mit 650V Sperrspannung, die für Anwendungen wie Schaltnetzteile und Leistungsfaktorkorrektur entwickelt wurde.