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HC3D10065G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC3D10065G product

HC3D10065G

Diodes - Rectifiers - Single

SiC-DiodeSchottky650V

Die HC3D10065G ist eine 650V SiC-Schottky-Diode, die für hocheffiziente Hochfrequenz-Leistungswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Netzteile
  • Leistungsfaktorkorrektur

Vermeiden, wenn

  • Kostensensitive Anwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Stoßstromgrenzwerte

Wichtige Specs

VRRM
650 V
IF (Tc=160°C)
10 A
VF (typ)
1.3 V

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

ac94d6b9edb7d01f4a738f4b5c0e8a11_2406031558_HXY-MOSFET-HC3D10065G_C22449558.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC3D10065G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine Siliziumkarbid-Schottky-Diode (SiC) mit 650V Nennspannung für effiziente Leistungselektronik.