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HC3D10120E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC3D10120E product

HC3D10120E

Diodes - Rectifiers - Single

SiC-Diode1200VTO-252-2LSchottky

Die HC3D10120E ist eine 1200V SiC-Schottky-Diode im TO-252-2L-Gehäuse, die hohe Effizienz und geringe Schaltverluste für Leistungselektronik bietet.

Ideal für

  • USV
  • Wechselrichter
  • Schaltnetzteile
  • PFC-Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Durchsteckmontage erfordern
  • Niederspannungsschaltungen, bei denen die SiC-Vorteile nicht genutzt werden

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RthJC = 1,30 °C/W)
  • Sperrschichttemperaturgrenzen

Wichtige Specs

Vr (Max)
1200 V
If (Max)
10 A
Vf (Typ)
1,4 V

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC3D10120E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine Siliziumkarbid-Schottky-Diode (SiC) mit 1200V und 10A, die für die Hochfrequenz-Leistungsumwandlung entwickelt wurde.