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HC3D10120G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC3D10120G product

HC3D10120G

Diodes - Rectifiers - Single

SiC-DiodeSchottky1200VTO-263

Die HC3D10120G ist eine 1200V, 10A Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode im TO-263-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlung.

Ideal für

  • USV
  • Wechselrichter
  • Schaltnetzteile
  • Leistungsfaktorkorrektur

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand und Sperrschichttemperaturgrenzen.

Wichtige Specs

Vr (Max)
1200 V
If (Max)
10 A
Vf (Typ)
1,4 V
Qc
48 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC3D10120G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine leistungsstarke Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode mit 1200V und 10A, die für hochfrequente Leistungsanwendungen entwickelt wurde.