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HC3D12065G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC3D12065G product

HC3D12065G

Diodes - Rectifiers - Single

SiC-DiodeSchottky650VTO-263

Die HC3D12065G ist eine 650V SiC-Schottky-Diode im TO-263-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Hochfrequenz-Leistungswandler.

Ideal für

  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Niederfrequenzanwendungen, bei denen die Vorteile von SiC nicht erforderlich sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RthJC = 1,62 °C/W) und Anforderungen an die Kühlung.

Wichtige Specs

Sperrspannung
650 V
Durchlassstrom
12 A
Max. Durchlassspannung
1,55 V
Betriebstemperatur
-55 bis +175 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrielle Wechselrichter

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC3D12065G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine Siliziumkarbid-Schottky-Diode (SiC) mit 650V und 12A, die für hocheffiziente Leistungselektronik entwickelt wurde.