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HC3D16065D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC3D16065D product

HC3D16065D

Diodes - Rectifiers - Arrays

SiCSchottky650VTO-247

Die HC3D16065D ist eine 650V Siliziumkarbid-Schottky-Diode (SiC) im TO-247-Gehäuse mit gemeinsamer Kathode.

Ideal für

  • USV
  • Wechselrichter
  • SMPS
  • Leistungsfaktorkorrektur

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung, bei denen SiC-Leistung nicht erforderlich ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Sperrspannung
650 V
Durchlassspannung
1,3 V
Konfiguration
Gemeinsame Kathode

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

a1e90adf94186e179a5c0b19e36a07c3_2406031556_HXY-MOSFET-HC3D16065D_C22449561.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC3D16065D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine Siliziumkarbid-Schottky-Diode, die für hocheffiziente Hochfrequenz-Leistungswandlungsanwendungen entwickelt wurde.