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HC3D30065H KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC3D30065H product

HC3D30065H

Silicon Carbide Schottky Diodes

SiC-DiodeSchottky650VLeistungselektronik

Die HC3D30065H ist eine 650V, 30A Siliziumkarbid-Schottky-Diode im TO-247-2L-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungselektronik.

Ideal für

  • USV-Systeme
  • Wechselrichter
  • Hochleistungs-Schaltnetzteile (SMPS)
  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Vermeiden, wenn

  • Niederfrequenzanwendungen, bei denen die Vorteile von SiC nicht zum Tragen kommen
  • Designs mit sehr begrenztem Platz, die kleinere Gehäuse als TO-247 erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Stoßstromfestigkeit für spezifische Fehlerbedingungen

Wichtige Specs

VRRM
650 V
IF
30 A
VF
1,3 V
QC
105 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrielle Stromversorgung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC3D30065H laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine leistungsstarke Siliziumkarbid-Schottky-Diode mit 650V und 30A, die für hochfrequente und effiziente Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.