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HC3M0032120K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC3M0032120K product

HC3M0032120K

MOSFETs - Single

SiCMOSFET1200VTO-247-4L

Der HC3M0032120K ist ein 1200V, 63A SiC N-Kanal-MOSFET im TO-247-4L-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlung.

Ideal für

  • Hochspannungs-Leistungswandlung
  • EV-Ladeinfrastruktur

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel und thermische Anforderungen

Wichtige Specs

Vds
1200 V
Id
63 A
Rds(on)
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

bd3b43ba329f2d46f2dfa45f8db18614_2312221750_HXY-MOSFET-HC3M0032120K_C19723856.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC3M0032120K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Siliziumkarbid (SiC) N-Kanal-MOSFET der 3. Generation, ausgelegt für 1200V und 63A.