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HC3M0045065D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC3M0045065D product

HC3M0045065D

MOSFETs - Single

SiC MOSFET650VTO-247

Der HC3M0045065D ist ein 650V, 49A SiC N-Kanal-MOSFET im TO-247-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromwandler.

Ideal für

  • EV-Ladegeräte
  • Wechselrichter für erneuerbare Energien
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung und thermische Anforderungen.

Wichtige Specs

Vds
650 V
Id
49 A
Rds(on)
33 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

cf91d5124acf481f81a118efc3268522_2406031559_HXY-MOSFET-HC3M0045065D_C22449546.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC3M0045065D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET der 3. Generation für Anwendungen mit hoher Spannung und Effizienz.