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HC3M0060065D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC3M0060065D product

HC3M0060065D

MOSFETs - Single

SiC MOSFET650VLeistungs-MOSFET

Der HC3M0060065D ist ein 650V N-Kanal SiC-MOSFET, der für hocheffiziente Leistungsschaltanwendungen in Industrie und Automobiltechnik optimiert ist.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Leistungswandlung
  • Totem-Pole PFC-Topologien

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmewiderstandsberechnungen

Wichtige Specs

Vdss
650 V
Id
29 A
Rds(on)
60 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

f73465c59227da3578a02a78956ed6bc_2312221750_HXY-MOSFET-HC3M0060065D_C19723857.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC3M0060065D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Siliziumkarbid (SiC) N-Kanal-MOSFET der 3. Generation für Hochspannungs-Leistungswandlungen.