ProjektePreiseInsights

HC4D10120A KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC4D10120A product

HC4D10120A

Diodes - Rectifiers - Single

SiCSchottky1200VHochfrequenz

Die HC4D10120A ist eine 1200V SiC-Schottky-Diode, die für hocheffiziente Hochfrequenz-Leistungswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • PFC-Stufen
  • Wechselrichter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem hohe Stoßstromfestigkeit erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand und Montagedrehmoment

Wichtige Specs

Vr (Max)
1200 V
If (Dauer)
10 A (bei 156°C)
Vf (Max)
1.8 V

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrielle Wechselrichter

Datenblatt

7112ee5f805163ce41bfc42765631518_2312221750_HXY-MOSFET-HC4D10120A_C19723884.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC4D10120A laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 1200V Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode im TO-220C-2L-Gehäuse, die für hocheffiziente Leistungselektronik entwickelt wurde.