ProjektePreiseInsights

HC4D10120D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC4D10120D product

HC4D10120D

Diodes - Rectifiers - Single

SiCSchottky1200VTO-247

Die HC4D10120D ist eine 1200V SiC-Schottky-Diode, die für hocheffiziente Hochfrequenz-Leistungswandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • PFC-Stufen
  • Schaltnetzteile
  • Wechselrichter

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Kühlkörperanforderungen

Wichtige Specs

Sperrspannung
1200 V
Durchlassstrom
10 A
Max. Sperrschichttemperatur
175 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrielle Wechselrichter

Datenblatt

c460eb5bb795720d608ea36151dcadbd_2312221750_HXY-MOSFET-HC4D10120D_C19723885.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC4D10120D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 1200V Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode im TO-247-Gehäuse, die für hocheffizientes Schalten entwickelt wurde.