Eine Siliziumkarbid-Schottky-Diode (SiC) für 1200V und 20A, konzipiert für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz.
HC4D20120D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
HC4D20120D
Diodes - Rectifiers - Single
Wichtige Specs
- Sperrspannung
- 1200 V
- Durchlassstrom
- 20 A
- Max. Sperrschichttemperatur
- 175 °C
Compliance & Umwelt
- RoHS
- -
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
NetzteileWechselrichter
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für HC4D20120D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.