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HC4D20120H KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HC4D20120H product

HC4D20120H

Diodes - Rectifiers - Single

SiCSchottky1200VTO-247

Die HC4D20120H ist eine 1200V, 20A Siliziumkarbid-Schottky-Diode, die für hocheffiziente Hochfrequenz-Leistungswandlungen optimiert ist.

Ideal für

  • PFC-Stufen
  • Schaltnetzteile
  • Freilaufdioden in Wechselrichtern

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vr
1200 V
If
20 A
Vf
1,5 V

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrielle Wechselrichter

Datenblatt

ee49a2bd611f8ef18323387191f2af8a_2312221750_HXY-MOSFET-HC4D20120H_C19723889.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HC4D20120H laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 1200V Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Gleichrichterdiode im TO-247-2L-Gehäuse, die für Hochfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurde.