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HCD65R360 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HCD65R360 product

HCD65R360

MOSFETs - Single

MOSFETSuper Junction650VTO-252

Der HCD65R360 ist ein 650V N-Kanal Super-Junction-MOSFET für Hochfrequenz-Schaltnetzteile.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Schaltnetzteile
  • Aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem niedrigen RDS(on)-Anforderungen
  • Umgebungen über 150°C Sperrschichttemperatur

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Widerstände und Kühlungsbedarf

Wichtige Specs

Vdss
650 V
Id
11 A
Rds(on)
340 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileAktive PFC

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HCD65R360 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein 650V N-Kanal Super-Junction-Leistungs-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung und schnellen Schaltzeiten für effiziente Stromversorgungen.