ProjektePreiseInsights

HCD65R600 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HCD65R600 product

HCD65R600

MOSFETs - Single

MOSFETSuper Junction650V

Der HCD65R600 ist ein 650V N-Kanal Super-Junction-MOSFET, der für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Aktive Leistungsfaktorkorrektur

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Ströme deutlich über 7A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel und thermische Anforderungen

Wichtige Specs

Vdss
650 V
Id
7,0 A
RDS(on)
520 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

14a67babbf1a88df9965ffa98f5afe6a_2312251801_HUAKE-HCD65R600_C19725798.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HCD65R600 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V N-Kanal Super-Junction-Leistungs-MOSFET für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz.