ProjektePreiseInsights

HCF65R260 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HCF65R260 product

HCF65R260

MOSFETs - Single

MOSFETSuper Junction650V

Der HCF65R260 ist ein 650V N-Kanal Super-Junction-MOSFET im TO-220F-Gehäuse, optimiert für effiziente Stromwandleranwendungen.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Schaltnetzteile
  • Aktive PFC

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen thermischen Widerstand erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung und thermische Verlustleistung.

Wichtige Specs

VDSS
650 V
ID
15 A
RDS(on)
260 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileAktive PFC

Datenblatt

29d208f1b419db451bd3b62c3e4469da_2312251801_HUAKE-HCF65R260_C19725793.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HCF65R260 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V N-Kanal Super-Junction-Leistungs-MOSFET von HUAKE, der für hochfrequente Schaltanwendungen entwickelt wurde.