ProjektePreiseInsights

HCF65R360 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HCF65R360 product

HCF65R360

MOSFETs - Single

MOSFETSuper Junction650VLeistung

Der HCF65R360 ist ein 650V N-Kanal Super-Junction-MOSFET im TO-220F-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen thermischen Widerstand erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel und thermische Anforderungen.

Wichtige Specs

VDSS
650 V
ID
11 A
RDS(on)
330 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteilPFC

Datenblatt

6939924fa6d95d4ba2aadce1071a03e3_2312251801_HUAKE-HCF65R360_C19725794.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HCF65R360 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V N-Kanal Super-Junction-Leistungs-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung und schnellen Schalteigenschaften, der für Hochfrequenz-Netzteile geeignet ist.