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HCG65140DAA KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HCG65140DAA product

HCG65140DAA

MOSFETs - Single

GaNLeistungstransistor650V

Der HCG65140DAA ist ein 650V GaN-auf-Silizium-Anreicherungstransistor im 8mm x 8mm DFN-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlung.

Ideal für

  • AC-DC-Wandler
  • DC-DC-Wandler
  • Totem-Pole-PFC

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die traditionelle Silizium-MOSFET-Gate-Treiber ohne Anpassung erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiberspannungspegel und Layout für hochfrequentes Schalten.

Wichtige Specs

Vds
650 V
Id
17 A
Rds(on)
140 mOhm

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
REACH Compliant
MSL
MSL3
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

3ae518480474a2ba2930272324547992_2405141047_HXY-MOSFET-HCG65140DAA_C22396444.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HCG65140DAA laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V GaN-auf-Silizium-Anreicherungstransistor für hocheffiziente Leistungswandlungsanwendungen.