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HCG65140DBA KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HCG65140DBA product

HCG65140DBA

MOSFETs - Single

GaNLeistungstransistor650V

Der HCG65140DBA ist ein 650V GaN-auf-Silizium-Leistungstransistor im 5x6mm DFN-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Leistungswandlung
  • Kompakte Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine direkte Kompatibilität mit Standard-Silizium-Gate-Treibern ohne Anpassung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungen und Layout-Parasiten

Wichtige Specs

Vds
650 V
Id
17 A
Rds(on)
100 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
REACH Compliant
MSL
MSL3
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

aa305f017a7dc342ead7dc47264e0b26_2405141047_HXY-MOSFET-HCG65140DBA_C22396445.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HCG65140DBA laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V Enhancement-Mode GaN-auf-Silizium-Leistungstransistor für effiziente Schaltanwendungen.