ProjektePreiseInsights

HE8550G-E-AE3-R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HE8550G-E-AE3-R product

HE8550G-E-AE3-R

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPTransistorAudio

Der HE8550G-E-AE3-R ist ein PNP-Kleinsignaltransistor, der für Anwendungen mit hohem Strom und niedriger Spannung, wie z. B. 2W-Audioverstärker, optimiert ist.

Ideal für

  • Tragbare Audioverstärker
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 25V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement im SOT-23-Gehäuse

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
-25 V
IC
-1,5 A

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AudioAllgemeine Anwendungen

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HE8550G-E-AE3-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Siliziumtransistor für Anwendungen mit niedriger Spannung und hohem Strom, insbesondere für Class-B-Gegentakt-Audioverstärker.