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HESDSBLC3V3LB KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HESDSBLC3V3LB product

HESDSBLC3V3LB

TVS - Diodes

ESD-SchutzTVS-Diode3,3V

Die HESDSBLC3V3LB ist eine kompakte, bidirektionale ESD-Schutzdiode für 3,3V-Hochgeschwindigkeitsdatenleitungen.

Ideal für

  • Schutz von Hochgeschwindigkeitsdatenleitungen
  • Platzsparende Designs

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Arbeitsspannungen über 3,3V

Vor der Verwendung prüfen

  • Klemmspannungsverhalten bei spezifischen Spitzenströmen

Wichtige Specs

Arbeitsspannung
3,3 V
Spitzenimpulsleistung
84 W
Gehäuse
DFN1006-2L
Kapazität
10 pF

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemein

Datenblatt

c44b96884fd7c80bc5683074f7c5adb8_2405241134_HXY-MOSFET-HESDSBLC3V3LB_C22439992.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HESDSBLC3V3LB laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine bidirektionale ESD-Schutzdiode im ultrakleinen DFN1006-2L-Gehäuse, die zum Schutz empfindlicher Halbleiter vor ESD und transienten Spannungsereignissen entwickelt wurde.