Es handelt sich um einen hochfrequenten 100V-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC mit unabhängigen Eingängen und einer integrierten Bootstrap-Diode.
HIP2101IBZ KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Max. Spannung
- 100 V
- Spitzenstrom
- 2 A
- Verzögerungszeit
- 25 ns
Compliance & Umwelt
- RoHS
- Y
- REACH
- nan
- MSL
- nan
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8542390001.0
Anwendung
Energieverwaltung
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für HIP2101IBZ laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
