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HIP2101IBZ KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HIP2101IBZ product

HIP2101IBZ

Gate Drivers

Gate-TreiberHalbbrücke100V

Der HIP2101IBZ ist ein 100V-Halbbrücken-MOSFET-Treiber für hochfrequente Leistungswandleranwendungen.

Ideal für

  • Halbbrücken-Leistungstopologien
  • Hochfrequenzschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit einer Busspannung von >100V

Vor der Verwendung prüfen

  • Dimensionierung des Bootstrap-Kondensators
  • Totzeitanforderungen

Wichtige Specs

Max. Spannung
100 V
Spitzenstrom
2 A
Verzögerungszeit
25 ns

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
nan
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
8542390001.0

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HIP2101IBZ laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen hochfrequenten 100V-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC mit unabhängigen Eingängen und einer integrierten Bootstrap-Diode.