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HMMBTA06LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HMMBTA06LT1G product

HMMBTA06LT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNBJTSOT-23Schalten

Der HMMBTA06LT1G ist ein NPN-Bipolartransistor im SOT-23-Gehäuse, der für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen bis 80V und 120mA ausgelegt ist.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 300mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr im SOT-23-Gehäuse

Wichtige Specs

VCEO
80 V
IC
120 mA
hFE
100-400

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeines SchaltenVerstärkung

Datenblatt

432bf6742ed9c3639dab361b8151a9b8_2405091436_HXY-MOSFET-HMMBTA06LT1G_C22396425.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HMMBTA06LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Bipolartransistor für Schalt- und Verstärkeranwendungen, der in einem kompakten SOT-23-Gehäuse geliefert wird.