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HN1B04FE-GR,LF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HN1B04FE-GR,LF product

HN1B04FE-GR,LF

Interface

Transistor-ArrayNPN/PNPAudio-Verstärker

Der HN1B04FE ist ein duales NPN/PNP-Transistor-Array im ES6-Gehäuse, optimiert für Audio-Verstärkeranwendungen.

Ideal für

  • Audio-Frequenz-Verstärkung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsschaltanwendungen über 100mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei dichtem Platinenlayout

Wichtige Specs

VCEO
50 V
IC (max)
150 mA
hFE
120-400

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

Audio-Verstärkung

Datenblatt

625d6887ad5f3a9ef30107836144ee52_1808280022_TOSHIBA-HN1B04FE-GR-LF_C150194.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HN1B04FE-GR,LF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein duales Transistor-Array mit einem NPN- und einem PNP-Silizium-Epitaxial-Transistor in einem kompakten ES6-SMD-Gehäuse.