ProjektePreiseInsights

HN6373 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HN6373 product

HN6373

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30VTrench

Der HN6373 ist ein P-Kanal-MOSFET mit -30V und -32A im DFN3X3-8L-Gehäuse, optimiert für DC/DC-Wandler und Brückenschaltungen.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Vollbrückenwandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Designs ohne thermische Ableitung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-32 A
RDS(ON)
12 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

a6e0b7eee1aa2d71ab75d8b2f9027e57_2304271705_HXY-MOSFET-HN6373_C5451638.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HN6373 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HN6373 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert und für Hochstrom-Schaltanwendungen entwickelt wurde.