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HS1195 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HS1195 product

HS1195

MOSFETs - Arrays

MOSFETP-KanalDualSOP-8

Der HS1195 ist ein dualer P-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für Lastschalt- und PWM-Anwendungen mit einer Nennspannung von -30V.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,5W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-30V
ID
-8.5A
RDS(ON)
<18mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

050f4680ca80daa8112adf7c294caaea_2304271708_HXY-MOSFET-HS1195_C5452415.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HS1195 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HS1195 ist ein dualer P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und in einem SOP-8-Gehäuse untergebracht ist.