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HSBA0139 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSBA0139 product

HSBA0139

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET100VTrench

Der HSBA0139 ist ein leistungsstarker P-Kanal 100V-MOSFET, der sich ideal für Schaltanwendungen mit niedrigem Einschaltwiderstand eignet.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Extrem platzkritische Designs ohne Wärmeableitung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VDS
-100 V
ID
-30 A
RDS(ON)
35 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSBA0139 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSBA0139 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für schnelles Schalten und niedrigen RDS(ON) optimiert ist.