HSBA15810C Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HUASHUO | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HSBA15810C product

Der HSBA15810C ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im PRPAK5*6-Gehäuse, der für hocheffiziente Leistungsschaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

Motortreiber
Batteriemanagementsysteme (BMS)
Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung und Leiterplattenlayout für hohe Strombelastbarkeit

Wichtige Specs

VDS: 100 V
ID: 100 A
RDS(on): 3,7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

MotortreiberBMS

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSBA15810C laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-100V-Leistungs-MOSFET mit SGT-MOS-Technologie, der für Hochstromanwendungen bis zu 100A ausgelegt ist.