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HSBA20N15S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSBA20N15S product

HSBA20N15S

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET150VSGT

Der HSBA20N15S ist ein 150V N-Kanal SGT-MOSFET, der für hocheffiziente synchrone Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Leistungsschaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Spannungen oder sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern, die die Gate-Ladungskapazitäten übersteigen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout zur Wärmeableitung.

Wichtige Specs

VDS
150 V
ID
23 A
RDS(on)
56 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

766d71c49cd67434444b369fdf281681.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSBA20N15S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen leistungsstarken N-Kanal-MOSFET mit SGT-Technologie (Shielded Gate Trench), der für effizientes Schalten konzipiert ist.