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HSBA3006 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSBA3006 product

HSBA3006

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VLeistung

Der HSBA3006 ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im PRPAK5*6-Gehäuse, der für hocheffiziente synchrone Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Hochstrom-Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung unter 20nC erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen PRPAK5*6 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID (Tc=25°C)
81 A
RDS(on) (typ)
3,2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungsmanagement

Datenblatt

5a0225382b0f8676b41153f610e03ac3_2301040930_HUASHUO-HSBA3006_C5341689.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSBA3006 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSBA3006 ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für Leistungsmanagementanwendungen, insbesondere synchrone Abwärtswandler, entwickelt wurde.