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HSBA3060 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSBA3060 product

HSBA3060

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VPRPAK5*6

Der HSBA3060 ist ein 30V, 48A N-Kanal-MOSFET im PRPAK5*6-Gehäuse, der für hocheffiziente Stromwandlung und -verwaltung optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Stromwandlung
  • Desktop-Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Spannungen deutlich über 30V erfordern
  • Extrem platzkritische Designs, bei denen PRPAK5*6 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Designanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
48 A
RDS(on)
8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementDC/DC-Wandler

Datenblatt

65ff21ceb3e78ce11d81111bd919c37d_2007171936_HUASHUO-HSBA3060_C701046.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSBA3060 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSBA3060 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 30V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 48A, untergebracht in einem PRPAK5*6-Gehäuse.