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HSBA4909 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSBA4909 product

HSBA4909

MOSFETs - Arrays

MOSFETKomplementärLeistung

Der HSBA4909 ist ein komplementäres N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Paar im PRPAK5*6-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente synchrone Abwärtswandler.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Stromversorgungsschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem flache Bauformen oder nicht standardisierte Footprints erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermisches Design und PCB-Layout für hohe Strombelastungen

Wichtige Specs

VDS
40V / -40V
ID
40A / -40A
RDS(ON)
8mΩ / 13mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

d2df451d438f2bf6e43ccbf37b2950e8_2110221630_HUASHUO-HSBA4909_C2903570.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSBA4909 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSBA4909 ist ein duales MOSFET-Bauteil, das sowohl einen N-Kanal- als auch einen P-Kanal-MOSFET enthält und für leistungsstarke Schaltanwendungen entwickelt wurde.