HSBA6016 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HUASHUO | PartGenie

KI-Zusammenfassung

HSBA6016 product

Der HSBA6016 ist ein 60V N-Kanal-MOSFET, der für hocheffiziente Leistungswandler, insbesondere synchrone Abwärtswandler, optimiert ist.

Ideal für

Synchrone Abwärtswandler
Allgemeine Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsgrenzen auf Ihrem spezifischen PCB-Layout

Wichtige Specs

VDS: 60 V
ID: 52 A
RDS(on): 12 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSBA6016 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSBA6016 ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für hocheffiziente Leistungsschaltanwendungen entwickelt wurde.