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HSBA6066 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSBA6066 product

HSBA6066

MOSFETs - Single

N-Kanal60VSGT MOSFETLeistungsschaltung

Der HSBA6066 ist ein 60V N-Kanal-MOSFET, der für hocheffizientes Schalten in Motorsteuerungen und DC/DC-Wandlern optimiert ist.

Ideal für

  • Motorsteuerung
  • DC/DC-Leistungswandlung
  • Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Spannungen deutlich über 60V erfordern
  • Extrem platzkritische Designs, bei denen das PRPAK5x6-Gehäuse zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
78 A
RDS(ON)
4,4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungDC/DC-Wandler

Datenblatt

poYBAGLj3n6AGAqnAA0vYvcstq8063.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSBA6066 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSBA6066 ist ein 60V N-Kanal-MOSFET von Huashuo, der SGT-Technologie (Shielded Gate Trench) nutzt, um einen niedrigen RDS(ON) und eine schnelle Schaltleistung zu erreichen.