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HSBA8048 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSBA8048 product

HSBA8048

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET80VSGT

Der HSBA8048 ist ein 80V N-Kanal SGT-MOSFET, der für hocheffiziente synchrone Gleichrichtung optimiert ist und einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie schnelles Schaltverhalten bietet.

Ideal für

  • Synchrone Gleichrichtung
  • DC-DC-Wandler
  • Allgemeine Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Spannungen über 80V erfordern
  • Extrem platzkritische Designs, bei denen PRPAK5x6 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Strombelastbarkeit des Gate-Treibers

Wichtige Specs

VDS
80 V
ID
48 A
RDS(ON)
4,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

1d99724334b31803b71c291dcb1ad599_2005081819_HUASHUO-HSBA8048_C508833.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSBA8048 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSBA8048 ist ein N-Kanal SGT-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für Leistungsanwendungen, insbesondere synchrone Gleichrichtung, entwickelt wurde und eine Durchbruchspannung von 80V sowie eine Strombelastbarkeit von 48A bietet.