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HSBA90N02 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSBA90N02 product

HSBA90N02

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET20V90APRPAK5*6

Der HSBA90N02 ist ein 20V, 90A N-Kanal-MOSFET im PRPAK5*6-Gehäuse, der für hocheffiziente synchrone Abwärtswandler und Batteriemanagement optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Batterieschutzschaltungen
  • Allgemeines Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Drain-Source-Spannung von >20V erfordern
  • Designs, bei denen Platzbeschränkungen den PRPAK5*6-Footprint verbieten

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
90 A
RDS(on)
2,9 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

69ba57ed6f0915621fa33172be480efe_2403131653_HUASHUO-HSBA90N02_C22359238.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSBA90N02 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSBA90N02 ist ein N-Kanal-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für schnelle Schaltanwendungen, insbesondere in synchronen Abwärtswandlern, entwickelt wurde.