ProjektePreiseInsights

HSBB3016 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSBB3016 product

HSBB3016

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VLeistung

Der HSBB3016 ist ein 30V, 80A N-Kanal-MOSFET im PRPAK3x3-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente synchrone Abwärtswandler.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • DC-DC-Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Hochspannungsisolierung über 30V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
80 A
RDS(ON)
2,6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

88b74278f8f3a39694881449aedd878e_2005121633_HUASHUO-HSBB3016_C508822.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSBB3016 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSBB3016 ist ein N-Kanal-MOSFET von Huashuo mit hoher Zelldichte, der für schnelles Schalten in Energieverwaltungsanwendungen entwickelt wurde.