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HSBB3115 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSBB3115 product

HSBB3115

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30VPRPAK3x3

Der HSBB3115 ist ein 30V P-Kanal-MOSFET im PRPAK3x3-Gehäuse, der für hocheffiziente synchrone Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Leistungsmanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Extrem platzkritische Designs ohne Wärmeableitung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vds
-30 V
Id
-55 A
Rds(on)
6,7 mOhm

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungsmanagement

Datenblatt

3c6c0dd4119d3e5f06ba9a564274aca9_2007171935_HUASHUO-HSBB3115_C701040.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSBB3115 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSBB3115 ist ein P-Kanal-Graben-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für Leistungsmanagementanwendungen, insbesondere synchrone Abwärtswandler, entwickelt wurde.