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HSBB6066 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSBB6066 product

HSBB6066

MOSFETs - Single

N-Kanal60V60ASGT MOSFETSchnelles Schalten

Der HSBB6066 ist ein 60V, 60A N-Kanal-MOSFET mit SGT-Technologie, optimiert für effizientes Schalten in einem kompakten PRPAK3x3-Gehäuse.

Ideal für

  • Motorantriebe
  • DC/DC-Netzteile
  • Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 60V Durchbruchspannung
  • Extreme Umgebungen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
60 A
RDS(ON)
4,4 mΩ
Qg
33 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungDC/DC-WandlerSynchrongleichrichtung

Datenblatt

7cb527c4a8da346ed7d9c2faf4854e2d_2105241831_HUASHUO-HSBB6066_C2828498.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSBB6066 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSBB6066 ist ein N-Kanal-MOSFET von Huashuo Semiconductor, der für schnelle Schaltanwendungen mit einer Durchbruchspannung von 60V und einer Strombelastbarkeit von 60A ausgelegt ist.