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HSBB6115 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

HSBB6115 product

HSBB6115

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET60VTrench-Technologie

Der HSBB6115 ist ein 60V P-Kanal-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandler optimiert ist und sich durch niedrigen RDS(on) und schnelles Schaltverhalten im kompakten PRPAK3*3-Gehäuse auszeichnet.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Kompakte Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit >60V VDS
  • Extrem hohe Stromanforderungen, die thermische Grenzen überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-26 A
RDS(on)
20 mΩ (typ)
Qg
25 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

7e580aca8ed0376cfb67e2be69b7ead1_2010160905_HUASHUO-HSBB6115_C845604.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für HSBB6115 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der HSBB6115 ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für schnelles Schalten und Anwendungen mit hoher Leistungsdichte entwickelt wurde.